近日，我校收到美国专利商标局的通知：兰红波教授申请的专利“Method And Device For Full Wafer Nanoimprint Lithography”获得美国发明专利授权，专利号：US8,741,199 B2。这是我校首次获得美国发明专利授权。
 　 在国家自然科学基金“纳米制造的基础研究”重大研究计划、教育部新世纪优秀人才支持计划等项目的资助下，基于该专利，兰红波团队目前已经成功开发了国内首台具有自主知识产权4英寸整片晶圆纳米压印光刻机工程样机，目前正在开展6英寸和m级尺度超大面积纳米压印工艺和装备的研究。大面积纳米压印光刻技术在高亮度LEDs、高清平板显示、高效太阳能电池板、晶圆级光学器件、高密度存储HDD、量子点、石墨烯等众多领域具有广阔的应用前景。